SAMSUNG PCIe 4.0 NVMe M.2 SSD 990 PRO 1TB ヒートシンクモデル with Heatsink ［1TB /M.2］「バルク品」 MZ-V9P1T0G-IT
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アルジューの詳しい分析
このSSDは現行のPCIe 4.0接続における最高到達点に近い性能を持っている。読み書き速度だけでなくランダムアクセス性能が極めて高く、重いゲームのロードや大容量データの編集作業でストレスを感じることはまずない。自社製のヒートシンクは薄型でPS5の拡張スロットにも物理的に問題なく収まるのが強みだ。電力効率も旧世代より大幅に改善されており、発熱対策を気にする必要が少ないのもメリットと言える。ただし、最高性能を引き出すにはマザーボード側がPCIe 4.0に対応していることが前提だ。安価なGen3環境や一般的な事務作業用PCにはオーバースペックで宝の持ち腐れになる。またバルク品のためサポート範囲を事前に確認してから購入するのが賢い選択だ。価格は高めだが、妥協せず最高環境を構築したいならこれ一択だろう。
AIが生成した分析です。内容に誤りが含まれる場合があります。最終判断はご自身で。
【商品解説】●爆速で負け知らずPCIeR4.0 の最大パフォーマンスに到達したスピードを体験してください。自社製SSDコントローラーによるスマートな熱制御は、最高の電力効率で速度とパフォーマンスを維持しながら、常に快適なゲーム環境を提供します。
●大幅なスピードアップ990 PROは、最大7450/6900 MB/秒のシーケンシャル読み出し/書き込み速度で、PCIeR 4.0の最大パフォーマンスに近い速度に達します。また、ランダム読み出し/書き込み速度は、980 PROよりも40％/55％高速な最大 1400K/1550K IOPSを実現し、ゲーム、ビデオおよび3D 編集、データ分析などで効果を発揮します。
●驚異的な電力効率通常、パフォーマンスが高いほどより多くの電力を消費しますが、990 PROは電力効率が高く、980 PRO よりも1ワットあたりのパフォーマンスが50％ 以上向上しています。
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この低電力設計により、最適な電力効率で最大のPCIeR4.0パフォーマンスが可能になります。●ヒートシンク搭載スリムなヒートシンクが熱を放散し、過熱によるパフォーマンスの低下を防ぎます。
グラフィックスの負荷が高いゲームでも、安定した熱制御と最小限のファンノイズを実現します。薄型ボディは、PCISIGR D8規格に準拠したPlayStationR 5、デスクトップ、およびラップトップに対応しています。
※PCISIGR D8標準仕様：8.8mm※“PlayStation”は、株式会社ソニー・インタラクティブエンタテインメントの登録商標または商標です。●最高のゲーム体験ランダムパフォーマンスが40％以上向上したことで、PS5TMおよびDirectStorage対応のPCゲームでの高速ロードが可能となり、究極のゲーミングリアリズムが実現します。
※“PS5”は、株式会社ソニー・インタラクティブエンタテインメントの登録商標または商標です。
※ MicrosoftのDirectStorageテクノロジは、最新のNVMe SSD の数GB/秒の速度を活用することで、以前よりも高速にゲームをロードします。
※ Samsung 980 PROとの比較に基づきます。●Samsung Magicianソフトウェア990 PROの性能を最大限引き出します。Samsung Magicianソフトウェアのユーザーフレンドリーな最適化ツールは、常に最高のSSDパフォーマンスを実現します。
大切なデータを保護し、ドライブの状態を監視し、重要な更新を取得します。●世界No.1のフラッシュメモリブランドSamsungは、SSDの主要構成部品であるNANDフラッシュメモリ市場で、2003年以降、世界No.1の地位を維持しているブランドです。
ワールドワイドの市場で培われた 優れたパフォーマンスと信頼性を兼ね備えたSamsung SSDを是非ご体感下さい。
※出典：2003〜2022 OMDIAデータ：NANDサプライヤ売上金額シェア
【スペック】●型式：MZ-V9P1T0G-IT（MZV9P1T0GIT）●JANコード：4560441098159本体サイズ(幅×高さ×奥行)mm：80.15x8.88x25mm（ヒートシンク含む）容量：1TB最大記憶容量：1TB付属品：インストールガイド＆保証情報ソフトウェア：Samsung Magicianソフトウェア (日本語対応) ※ダウンロード対応仕様1：［インターフェース(転送速度・規格値)］PCIe Gen 4.0 x4、NVMe 2.0［フォームファクタ］M.2 (2280) / PCI-SIG D8規格に準拠したヒートシンク搭載［搭載デバイス］NANDフラッシュ：Samsung V-NAND TLCコントローラ：Samsung 自社製 コントローラキャッシュメモリ：1GB LPDDR4仕様2：［パフォーマンス］※最大値シーケンシャル：読み出し 7450 MB/s、書き込み 6900 MB/sランダム(QD1 Thread1)：読み出し 22000 IOPS、書き込み 80000 IOPSランダム(QD32 Thread16)：読み出し 1200000 IOPS、書き込み：1550000 IOPS［消費電力］待機時：50 mW動作時(平均)：読み出し 5.5 W、書き込み 5.2 WL1.2モード時：5 mW仕様3：［使用環境］温度範囲：動作時 0〜70°C、非動作時 -45〜85°C湿度範囲：5％〜100％(結露なきこと)［耐久性］耐衝撃性：非動作時 1500G、0.5ms期間、3軸耐振動性：非動作時 20〜2000Hz、20GMTBF(平均故障間隔)：150万時間この商品は宅配便でお届けする商品です出荷可能日から最短日時でお届けします。
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