アイ・オー・データ DZ3200-C4G/ST [PC4-3200対応 デスクトップ用メモリー(法人用) 4GB]

●対応機種:デスクトップパソコン●メモリタイプ:DDR4 SDRAM●容量:4GB●ピン数:288pin DIMM●メモリー速度:3200MHz（CL=22）、2666MHz（CL=19）、2400MHz（CL=17）、2133MHz（CL=15）●JEDEC:準拠●SPD:対応●電源電圧定格:VDD=1.2V、VPP=2.5V●外形寸法（W×D×H）:133.35×4.1×31.25mm●質量:約16g●質量（梱包時）:約31g●保証期間:無期限保証●各種取得規格:RoHS指令準拠（10物質）DDR4-3200対応のDRAMを搭載！ DZ3200-CシリーズはDDR4-3200、PC4-3200対応デスクトップ用（288pin）メモリーモジュールです。DDR4-3200規格での高速で安定した動作を実現します。また、下位互換であるDDR4-2666／DDR4-2400／DDR4-2133にも対応しているため、幅広いパソコンでお使いただけます。 DDR4環境パソコンの性能を最大限引き出します（※） DDR4-3200（PC4-3200）対応のため、対応パソコンでは転送速度が25.6MB/sと高速なデータ転送を実現できます。また、DDR4-2133、DDR4-2400、DDR4-2666にも対応しているため、DDR4対応のパソコン環境それぞれを最大の速度環境にて増設することが可能です。 ※ メモリーの転送速度は理論値です。 ※ OverClockは含みません。 メモリーを2枚同時に使用するデュアルチャネル デュアルチャネルとは、チップセット内部のメモリーコントローラーが同容量・同仕様であるメモリー2枚に同時アクセスすることで、データの転送速度を2倍にする技術です。DZ3200-Cシリーズはシングルチャネルの場合、理論値で約25.6GB/sとなりますが、デュアルチャネルでは約51.2GB/sのデータ転送レートを誇ります。 シングルチャネル デュアルチャネル DDR4-3200 25.6GB/s 51.2GB/s DDR4-2666 21.3GB/s 42.6GB/s DDR4-2400 19.2GB/s 38.4GB/s DDR4-2133 17.06GB/s 34.12GB/s これが高品質の証！安心の無期限保証 パソコンの安定動作にはメモリーモジュールの品質が重要です。アイオーは品質への自信から「無期限保証」を実現！安心してお使いいただけます。 マザーボードに装着しやすいエッジ端子形状 従来のDDR3までのメモリーモジュール形状は平坦であり、定規の目盛りのように一直線に端子が付けられていましたが、DDR4はエッジ端子部分の一部に傾斜をつけたことでマザーボードへの装着時に必要な力が低減しました。メモリモジュールの破損や接触不良といったトラブルを防止します。 エラー検出機能を各所に搭載 転送速度が高速化したことに伴い、DDR4にはノイズの影響から守るためのさまざまなエラー検出機能が搭載されています。データ書き込み時にはデータ信号に加えCRC符号も合わせてDRAMに送り、DRAM内部で書き込みデータから生成したCRC符号と比較して、エラーを検出します。また、コマンド信号とアドレス信号にはパリティを付加してエラー検出を行います。エラーを見つけた場合にはメモリーコントローラへ通知し、これによりデータを高速転送しても高い信頼性を実現しています。 ※ エラー訂正機能は搭載していません。 ”DDR4”とは？ DDR4-3200は搭載されているDRAM単体のスピードを表します。メモリーモジュールのデータ転送速度が3200Mbpsのため、PC4-3200と表記します。 Double Data Rate 4 SDRAM DDR規格以降のメモリーは、クロック信号（コンピューター各回路間の同期を取るための信号）の立ち上がり時・立ち下がり時の両方でデータの読み書きを実行できる、ダブルデータレート（DDR）モードで高速なデータ転送を実現しています。 DDR4 SDRAMは従来のDDR3 SDRAMと同じ8bitデータプリフェッチ（事前読出）となりますが、新たにバンクグループが導入され、異なるバンクグループに連続アクセスすることでデータ転送速度をDDR3の2倍に高めています。 さらに動作電圧もDDR3 SDRAMの1.5Vに対して1.2Vと低消費電力を実現し、パソコンのバッテリー稼働時間向上にも寄与します。 ※ DDR4のバンクグループ DDR3 SDRAMのメモリーセルアレイは8個のメモリーバンクに分割され、それぞれが一つの入出力バッファーに接続されていました。 これに対しDDR4 SDRAMでは2倍の16個のメモリーバンクに分割され、メモリーバンク4個ごとに一つの「バンクグループ」となっています。 入出力は各グループごとにローカルバッファーが用意されており、さらに一つのグローバルバッファーに接続されます。 異なるバンクグループに連続アクセスすることで、データ転送速度がDDR3の2倍に高まっています。